:::
:::

貴儀專區 / 電漿耦合式離子蝕刻系統

 

貴儀名稱

電漿耦合式離子蝕刻系統

Inductive Couple Plasma Etching System

儀器說明

購置年月 96 12 24

廠牌及型號:Cirie-200

儀器設備說明

上電極:a. ICP Window: 13.56 MHz RF Power; b.製程氣體進氣裝置: 製程氣體總閥與氣體盤面隔離,製程氣體進入後以分氣裝置均勻分氣。

(2)下電極: RF導入a.鋁合金電極 b.電極尺寸:ψ220mm For 7 × 2 Wafer

保管人

藍文厚老師

服務項目

薄膜蝕刻,可蝕刻種類:

絕緣體:SiO2Si3N4Al 2O3....

半導體: SiGeGaAsGaN....

透明導電膜 : ITOZnO..(不包含金屬基材)

可通入氣體:Cl2ArN 2 O2 CF 4 BCl3

貴儀圖片

行事曆

« June 2018»
    010203
04050607080910
11121314151617
18192021222324
252627282930
學術榮譽榜

ad01

GRB智慧搜尋系統

活動剪影

2010電機實務專題競賽2009電機專題展啦啦隊啦啦隊啦啦隊2014年電機系啦啦隊_亞軍2014年電機系啦啦隊_亞軍2014年電機系啦啦隊_亞軍鴻海參訪2017年運動會電機系進場運動會進場運動會進場
閱讀更多
cron web_use_log