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Instruments Center / Inductive Couple Plasma Etching System

  

貴儀名稱

電漿耦合式離子蝕刻系統

Inductive Couple Plasma Etching System

儀器說明

購置年月 96  12  24 

廠牌及型號:Cirie-200

儀器設備說明

上電極:a. ICP Window: 13.56 MHz RF Power; b.製程氣體進氣裝置製程氣體總閥與氣體盤面隔離,製程氣體進入後以分氣裝置均勻分氣。

(2)下電極: RF導入a.鋁合金電極 b.電極尺寸:ψ220mm For 7 × 2 Wafer

保管人

藍文厚老師

服務項目

薄膜蝕刻,可蝕刻種類:

絕緣體:SiO2Si3N4Al 2O3....

半導體: SiGeGaAsGaN....

透明導電膜 : ITOZnO..(不包含金屬基材)

可通入氣體:Cl2ArN 2 O2 CF 4 BCl3

貴儀圖片

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