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期刊論文
出版日期2010-08-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)The Analytical Compact Threshold Voltage Model for Surrounding-gate MOSFETs With Interface Trapped Charges
期刊名IEEE Electron Device Letters
卷數Vol. 31
期數No. 8
起頁788
迄頁790
總頁數3
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
使用語言英文

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