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期刊論文
出版日期2007-05-00
期刊等級SCI / EI
論文名稱(篇名)Impacts of Notched-Gate Structure on Contact Etch Stop layer (CESL)Stressed 90-nm nMOSFET
期刊名IEEE Electron Device Letters
卷數28
期數5
起頁376
迄頁378
總頁數3
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Chien-Ting Lin, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chieh-Ming Lai, Che-Hua Hsu, Li-Wei Cheng, and Guang Hwa Ma
著作人數7
作者型態Corresponding Author
使用語言英文

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