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期刊論文
出版日期2006-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs
期刊名Microelectronics Reliability
卷數vol.47
期數no.2-3
起頁379
迄頁383
總頁數5
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author
使用語言英文

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