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期刊論文
出版日期2011-03-00
期刊等級SCI / EI
論文名稱(篇名)The Improvement of High-k/Metal Gate pMOSFET Performance and Reliability Using Optimized Si Cap/SiGe Channel Structure
期刊名IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
卷數11
期數1
起頁7
迄頁12
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Wen-Kuan Yeh, Yu-Ting Chen, Fon-Shan Huang, Chia-Wei Hsu, Chun-Yu Chen, Yean-Kuen Fang, Kwang-Jow Gan, and Po-Ying Chen
著作人數8
作者型態First Author
使用語言英文

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