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期刊論文
出版日期2005-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A New Scaling theory for fully-depleted SOI double-gate MOSFET’s: including effective conducting path effect (ECPE)
期刊名Solid-State Electronics
卷數vol.49
期數no.3
起頁317
迄頁322
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang
著作人數1
使用語言英文

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