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期刊論文
出版日期2011-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully Silicide metal-gate strained SOI MOSFET
期刊名Microelectronic Engineering
卷數88
期數3
起頁228
迄頁234
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Cheng-Li Lin and Wen-Kuan Yeh
著作人數2
作者型態Other
使用語言英文

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