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期刊論文
出版日期2010-05-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Improvement of TDDB reliability, characteristics of HfO2 high-k/metal gate MOSFET device with oxygen post deposition annealing
期刊名Microelectronics Reliability
卷數50
期數5
起頁618
迄頁621
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Chia-Wei Hsu, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chun-Yu Chen, Yen-Ting Chiang , Feng-Renn Juang, Chien-Ting Lin, and Chien-Ming Lai
著作人數8
作者型態Corresponding Author
使用語言英文

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