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期刊論文
出版日期2010-02-00
期刊等級SCI / EI
論文名稱(篇名)The Impact of Oxide Traps Induced by SOI Thickness on Reliability of Fully Silicide Metal-Gate Strained SOI MOSFET
期刊名IEEE Electron Device Letters
卷數31
期數2
起頁165
迄頁167
總頁數3
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Cheng-Li Lin, Yu-Ting Chen, Fon-Shan Huang, Wen-Kuan Yeh, and Chien-Ting Lin
著作人數5
作者型態Other
使用語言英文

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