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期刊論文
出版日期2009-07-00
期刊等級SCI / EI
論文名稱(篇名)Effect of Nitrogen Incorporation in a Gd Cap Layer on the Reliability of Deep-Submicrometer Hf-Based High-k/Metal-Gate nMOSFETs
期刊名IEEE Electron Device Letters
卷數30
期數7
起頁781
迄頁783
總頁數3
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Chia-Wei Hsu, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chun-Yu Chen, Chien-Ting Lin, Che-Hua Hsu, Li-Wei Cheng, and Chien-Ming Lai
著作人數8
作者型態Corresponding Author
使用語言英文

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