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期刊論文
出版日期2012-05-01
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Stress-induced capacitance of partially depleted MOSFETs from ring oscillator delay
期刊名IEICE Transactions on Electronics
卷數E95-C
期數5
起頁802
迄頁806
總頁數5
作者中文名張文騰
作者英文名Wen-Teng Chang
全部作者Wen-Teng Chang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
ISSN(ISBN) 0916-8524

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