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期刊論文
出版日期2012-06-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A novel short-channel model for threshold voltage of tri-gate MOSFETs with localized trapped charges
期刊名IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (TDMR)
卷數vol. 12
期數no. 2
起頁311
迄頁316
總頁數6
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author

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