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期刊論文
出版日期2012-08-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Reliability Improvement of 28-nm High-k/Metal Gate-Last MOSFET Using Appropriate Oxygen Annealing
期刊名IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
卷數33
期數8
起頁1183
迄頁1185
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Yi-Lin Yang, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Chia-Wei Hsu, Li-Kong Chin, Chien-Ting Lin, Che-Hua Hsu, Chien-Ming Lai, and Wen-Kuan Yeh
著作人數11
作者型態Other

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