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期刊論文
出版日期2012-11-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A new quasi-2-D threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET
期刊名IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
卷數vol. 59
期數no. 11
起頁3127
迄頁3129
總頁數3
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author

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