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期刊論文
出版日期2014-02-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Reliability of the Doping Concentration in an Ultra-thin Body and Buried Oxide Silicon on Insulator (SOI) and Comparison with a Partially Depleted SOI
期刊名Microelectronics Reliability
卷數54
期數2
起頁485
迄頁489
總頁數5
作者中文名張文騰
作者英文名Wen-Teng Chang
全部作者W. T. Chang, C. M. Lai(賴俊銘) , W. K. Yeh
著作人數3
作者型態First Author / Corresponding Author

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