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期刊論文
出版日期2013-11-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Novel Quasi-3-D Threshold Voltage Model for Fully Depleted Quadruple-Gate (FDQG) MOSFETs: With Equivalent Number of Gates (ENG) Included
期刊名IEEE Trans. on Nanotechnology
卷數vol. 12
期數no. 6
起頁1022
迄頁1025
總頁數3
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T.K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author

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