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期刊論文
出版日期2011-01-10
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)Effect of Gate Capping Configurations and Silicon-on-Insulator Thickness with External Stresses on Partially Depleted MOSFETs
期刊名Journal of Vacuum Science and Technology B
卷數29
期數1
起頁1071
迄頁1023
總頁數4
作者中文名張文騰
作者英文名Wen-Teng Chang
全部作者Wen-Teng Chang, Chih-Chung Wang, Jian-An Lin, Wen-Kuan Yeh
著作人數4
作者型態First Author / Corresponding Author
ISSN(ISBN)98-2221-E-390-025-MY2
使用語言英文
所屬計畫案利用電晶體及環形振盪器製作壓阻感測器

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