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期刊論文
出版日期2014-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Compact Interface-Trapped-Charge-Induced Subthreshold Current Model for Surrounding-Gate (SRG) MOSFETs” IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (TDMR)
期刊名TDMR
卷數vol. 14
期數no. 2
起頁766
迄頁768
總頁數3
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Chiang Te-Kuang
著作人數1
作者型態First Author
使用語言英文

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