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期刊論文
出版日期2014-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs”, IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
期刊名TED
卷數vol. 61
期數no. 5
起頁1611
迄頁1614
總頁數4
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Chiang Te-Kuang
著作人數1
作者型態First Author
使用語言英文

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