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期刊論文
出版日期2014-11-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Novel Quasi-3D Interface-Trapped-Charge-Degraded Threshold Voltage Model for Omega-Gate MOSFETs
期刊名IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
卷數15
期數1
起頁35
迄頁39
總頁數5
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Chiang Te-Kuang
著作人數1
作者型態First Author
使用語言英文

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