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期刊論文
出版日期2015-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Novel Quasi-3D Threshold Voltage Model for Pi-gate MOSFET with the interface trapped charges
期刊名IEEE Trans on Nanotechnology
卷數14
期數3
起頁555
迄頁560
總頁數6
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T. K. Chiang(江德光)
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
使用語言英文

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