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期刊論文
出版日期2015-03-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A New Subthreshold Current Model for Junctionless Tri-Gate (JLTG) MOSFETs to Examine Interface Trapped Charge Effects (ITCEs)
期刊名IEEE Trans. on Electron Devices (TED)
卷數62
期數9
起頁2745
迄頁2750
總頁數6
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T.K. Chiang(江德光)
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
使用語言英文

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