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期刊論文
出版日期2016-07-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Short-Channel-Effect-Degraded Noise Margin Model for Junctionless Double-Gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
期刊名IEEE Trans on Electron Device (TED)
卷數63
期數8
起頁3354
迄頁3359
總頁數6
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Chiang Te-Kuang
著作人數1
作者型態Corresponding Author
使用語言英文

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