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期刊論文
出版日期2016-11-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Device-Physics-Oriented Static Noise Margin/logic swing Model for surrounding-gate MOSFET Working on Subthreshold CMOS Logic Gates
期刊名IEEE Trans on Electron Device (TED)
卷數63
期數11
起頁4209
迄頁4217
總頁數8
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Chiang Te-Kuang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
使用語言英文

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