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期刊論文
出版日期2018-02-00
期刊等級SCI
論文名稱(篇名)A Unified Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs
期刊名IEEE Trans on Nanotechnology
卷數16
期數2
起頁281
迄頁289
總頁數9
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Juin J. Liou, Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang and Te-Kuang Chiang
著作人數4
作者型態Corresponding Author
使用語言英文

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