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研討會論文
年度2010
論文類型會議論文
論文等級其他
論文名稱(篇名)A New Two-Dimensional Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of the Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistor
會議名稱IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
會議開始時間2010-11-01
會議結束時間2010-11-04
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者T.K. Chiang
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
會議地點Shanghai, China
使用語言英文

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