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研討會論文
年度2006
論文類型口頭報告 / 會議論文
論文等級EI
論文名稱(篇名)λ= 1.3 μm High density InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
會議名稱Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06)
會議開始時間2006-05-00
會議結束時間2006-05-00
作者中文名馮瑞陽
作者英文名(David) Jui-Yang, Feng
全部作者David J. Feng, T. E. Tzeng, C. Y. Chen, T. S. Lay, and T. Y. Chang
著作人數5
作者型態First Author
會議地點Princeton, USA
使用語言英文

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