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研討會論文
年度2011
論文類型會議論文
論文等級其他
論文名稱(篇名)A Two-dimensional Short-Channel Model for Threshold Voltage of Tri-Gate (TG) MOSFETs with Localized Trapped Charges
會議名稱2011 IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
會議開始時間2011-11-17
會議結束時間2011-11-18
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者Te-Kuang Chiang and Duo-Han Chang(張鐸瀚)
著作人數2
作者型態First Author
會議地點Tianjin,China

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