:::
| 年度 | 2011 |
|---|---|
| 論文類型 | 海報展示 |
| 論文等級 | EI |
| 論文名稱(篇名) | Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing |
| 會議名稱 | International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS) |
| 會議開始時間 | 2011-11-00 |
| 會議結束時間 | 2011-11-00 |
| 作者中文名 | 葉文冠 |
| 作者英文名 | Wen-Kuan Yeh |
| 全部作者 | Yi-Lin Yang, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng(鄭濟允), Li-Kong Chin(秦禮功), Chia-Wei Hsu and Wen-Kuan Yeh) |
| 著作人數 | 8 |
| 作者型態 | Other |
| 會議地點 | Taipei, Taiwan |
| 使用語言 | 英文 |
