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研討會論文
年度2011
論文類型海報展示
論文等級EI
論文名稱(篇名)Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing
會議名稱International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS)
會議開始時間2011-11-00
會議結束時間2011-11-00
作者中文名葉文冠
作者英文名Wen-Kuan Yeh
全部作者Yi-Lin Yang, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng(鄭濟允), Li-Kong Chin(秦禮功), Chia-Wei Hsu and Wen-Kuan Yeh)
著作人數8
作者型態Other
會議地點Taipei, Taiwan
使用語言英文

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