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年度 | 2014 |
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論文類型 | 口頭報告 / 會議論文 |
論文等級 | 其他 |
論文名稱(篇名) | A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs |
會議名稱 | EDSSC2014 |
會議開始時間 | 2014-06-18 |
會議結束時間 | 2014-06-20 |
作者中文名 | 江德光 |
作者英文名 | Te-Kung Chiang |
全部作者 | 江德光 |
著作人數 | 1 |
作者型態 | First Author / Corresponding Author |
會議地點 | 大陸成都 |