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研討會論文
年度2014
論文類型口頭報告 / 會議論文
論文等級其他
論文名稱(篇名)A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs
會議名稱EDSSC2014
會議開始時間2014-06-18
會議結束時間2014-06-20
作者中文名江德光
作者英文名Te-Kung Chiang
全部作者江德光
著作人數1
作者型態First Author / Corresponding Author
會議地點大陸成都

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