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| 年度 | 2014 |
|---|---|
| 論文類型 | 口頭報告 / 會議論文 |
| 論文等級 | 其他 |
| 論文名稱(篇名) | A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Quadruple-Gate (QG) MOSFETs |
| 會議名稱 | EDSSC2014 |
| 會議開始時間 | 2014-06-18 |
| 會議結束時間 | 2014-06-20 |
| 作者中文名 | 江德光 |
| 作者英文名 | Te-Kung Chiang |
| 全部作者 | 江德光 |
| 著作人數 | 1 |
| 作者型態 | First Author / Corresponding Author |
| 會議地點 | 大陸成都 |
