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貴儀名稱 |
電漿耦合式離子蝕刻系統 Inductive Couple Plasma Etching System |
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儀器說明 |
購置年月 ：96 年 12 月 24 日 廠牌及型號：Cirie-200 儀器設備說明 上電極:a. ICP Window: 13.56 MHz RF Power; b.製程氣體進氣裝置: 製程氣體總閥與氣體盤面隔離，製程氣體進入後以分氣裝置均勻分氣。 下電極: RF導入a.鋁合金電極 b.電極尺寸:ψ220mm For 7 × 2” Wafer |
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保管人 |
藍文厚老師 |
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服務項目 |
薄膜蝕刻，可蝕刻種類： 絕緣體：SiO2，Si3N4，Al 2O3，.... 半導體： Si，Ge，GaAs，GaN，.... 透明導電膜 : ITO，ZnO，..(不包含金屬基材) 可通入氣體：Cl2、Ar、N 2 、O2 、CF 4 、BCl3。 |
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貴儀圖片 |
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