"Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully Silicide metal-gate strained SOI MOSFET" , Microelectronic Engineering , 88 , 3 , pp228-234 ,2011, (SCI)

  • 出版日期：2011-03-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：Impact of SOI thickness on device performance and gate oxide reliability of Ni fully Silicide metal-gate strained SOI MOSFET
  • 期刊名：Microelectronic Engineering
  • 卷數：88
  • 期數：3
  • 起頁：228
  • 迄頁：234
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：Cheng-Li Lin and Wen-Kuan Yeh
  • 著作人數：2
  • 作者型態：Other
  • 使用語言：英文