出版日期 2010-02-00 期刊等級 SCI / EI 論文名稱(篇名) The Impact of Oxide Traps Induced by SOI Thickness on Reliability of Fully Silicide Metal-Gate Strained SOI MOSFET 期刊名 IEEE Electron Device Letters 卷數 31 期數 2 起頁 165 迄頁 167 總頁數 3 作者中文名 葉文冠 作者英文名 Wen-Kuan Yeh 全部作者 Cheng-Li Lin, Yu-Ting Chen, Fon-Shan Huang, Wen-Kuan Yeh, and Chien-Ting Lin 著作人數 5 作者型態 Other 使用語言 英文