"The Impact of Oxide Traps Induced by SOI Thickness on Reliability of Fully Silicide Metal-Gate Strained SOI MOSFET" , IEEE Electron Device Letters , 31 , 2 , pp165-167 ,2010, (SCI),(EI)

  • 出版日期：2010-02-00
  • 期刊等級：SCI / EI
  • 論文名稱(篇名)：The Impact of Oxide Traps Induced by SOI Thickness on Reliability of Fully Silicide Metal-Gate Strained SOI MOSFET
  • 期刊名：IEEE Electron Device Letters
  • 卷數：31
  • 期數：2
  • 起頁：165
  • 迄頁：167
  • 總頁數：3
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：Cheng-Li Lin, Yu-Ting Chen, Fon-Shan Huang, Wen-Kuan Yeh, and Chien-Ting Lin
  • 著作人數：5
  • 作者型態：Other
  • 使用語言：英文