出版日期:2009-07-00
期刊等級:SCI / EI
論文名稱(篇名):Effect of Nitrogen Incorporation in a Gd Cap Layer on the Reliability of Deep-Submicrometer Hf-Based High-k/Metal-Gate nMOSFETs
期刊名:IEEE Electron Device Letters
卷數:30
期數:1
起頁:781
迄頁:783
總頁數:3
作者中文名:葉文冠
作者英文名:Wen-Kuan Yeh
全部作者:Chia-Wei Hsu, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chun-Yu Chen, Chien-Ting Lin, Che-Hua Hsu, Li-Wei Cheng, and Chien-Ming Lai
著作人數:8
作者型態:Corresponding Author
使用語言:英文