"Impacts of Notched-Gate Structure on Contact Etch Stop layer (CESL)Stressed 90-nm nMOSFET" , IEEE Electron Device Letters , 28 , 5 , pp376-378 ,2007, (SCI),(EI)

  • 出版日期：2007-05-00
  • 期刊等級：SCI / EI
  • 論文名稱(篇名)：Impacts of Notched-Gate Structure on Contact Etch Stop layer (CESL)Stressed 90-nm nMOSFET
  • 期刊名：IEEE Electron Device Letters
  • 卷數：28
  • 期數：5
  • 起頁：376
  • 迄頁：378
  • 總頁數：3
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：Chien-Ting Lin, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chieh-Ming Lai, Che-Hua Hsu, Li-Wei Cheng, and Guang Hwa Ma
  • 著作人數：7
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 使用語言：英文