"Nano-scaled Ge FinFETs with Low Temperature Ferroelectric HfZrOx on Specific Interfacial Layers Exhibiting 65% S.S. Reduction and Improved ION",2017 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits,Japan,2017/06/06 (SCI)

  • 年度：2017
  • 論文類型：會議論文
  • 論文等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：Nano-scaled Ge FinFETs with Low Temperature Ferroelectric HfZrOx on Specific Interfacial Layers Exhibiting 65% S.S. Reduction and Improved ION
  • 會議名稱：2017 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits
  • 會議開始時間：2017-06-06
  • 會議結束時間：2017-06-06
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：C.-J. Su, Y.-T. Tang, Y.-C. Tsou**,P.-J. Sung,F,-J. Hou, C.-j. Wang, S,-T.Chung, C.-Y. Hsieh, Y.-S. Yeh. F.-K. Hsueh,Wen-Kuan Yeh ...ect
  • 著作人數：27
  • 作者型態：Other
  • 會議地點：Japan