"Characterization and Improvement of Charge Trapping in Gd incoporatrated Hf based high-k/Metal gate nMOSFET",Solid-State Device and Materials,Sendi, Japan,2012/10/07-2012/10/09 (SCI)

  • 年度：2012
  • 論文類型：海報展示
  • 論文等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：Characterization and Improvement of Charge Trapping in Gd incoporatrated Hf based high-k/Metal gate nMOSFET
  • 會議名稱：Solid-State Device and Materials
  • 會議開始時間：2012-10-07
  • 會議結束時間：2012-10-09
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：C.W. Chen ,C.T. Lin , W.K. Yeh
  • 著作人數：3
  • 作者型態：Other
  • 會議地點：Sendi, Japan