"Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing",International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS),Taipei, Taiwan,2011/11/00 (EI)

  • 年度：2011
  • 論文類型：海報展示
  • 論文等級：EI
  • 論文名稱(篇名)：Reliability Improvement of 28nm Gate Last High-k/Metal Gate Device with Oxygen Annealing
  • 會議名稱：International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS)
  • 會議開始時間：2011-11-00
  • 會議結束時間：2011-11-00
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：Yi-Lin Yang, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng(鄭濟允), Li-Kong Chin(秦禮功), Chia-Wei Hsu and Wen-Kuan Yeh)
  • 著作人數：8
  • 作者型態：Other
  • 會議地點：Taipei, Taiwan
  • 使用語言：英文