"A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe-SOI CMOSFET",2011 IEEE International SOI Conference,Tempe, Arizona, USA,2011/10/03-2011/10/06 (EI)

  • 年度：2011
  • 論文類型：口頭報告 / 會議論文
  • 論文等級：EI
  • 論文名稱(篇名)：A Proposed High Manufacturability Strain Technology for High-k/Metal Gate SiGe-SOI CMOSFET
  • 會議名稱： 2011 IEEE International SOI Conference
  • 會議開始時間：2011-10-03
  • 會議結束時間：2011-10-06
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：W.K. Yeh, C. Y. Cheng(鄭濟允), Y. L Yang, C.T. Lin , C.M. Lai, Y.W.Chen, C. H. Hsu, C. W. Yang, and P. Y. Chen
  • 著作人數：9
  • 作者型態：First Author / Corresponding Author
  • 會議地點：Tempe, Arizona, USA
  • 使用語言：英文