"Characterization the Random Telegraph Noise in High-k/Metal gate device for 32nm nMOSFETs and pMOSFET",Solid-State Device and Materials,Tokyo, Japan,2010/09/20-2010/09/23 (SCI)

  • 年度：2010
  • 論文類型：口頭報告
  • 論文等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：Characterization the Random Telegraph Noise in High-k/Metal gate device for 32nm nMOSFETs and pMOSFET
  • 會議名稱：Solid-State Device and Materials
  • 會議開始時間：2010-09-20
  • 會議結束時間：2010-09-23
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名：Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：W. K. Yeh, C. W. Hsu, Y. K. Fang, C. Y. Chen, C. T. Lin, P. Y. Chen
  • 著作人數：6
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Tokyo, Japan
  • 使用語言：英文