Dark current reduction of n-ZnO/p-Si diode with Boron doped interlayer

年度 2016
論文類型 海報展示
論文等級 其他
論文名稱(篇名) Dark current reduction of n-ZnO/p-Si diode with Boron doped interlayer
會議名稱 IWZnO
會議開始時間 2016-10-30
會議結束時間 2016-11-02
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 Tzu-Hsiang Lin(林子翔), Ming-Chang Shih, David Jui-Yang Feng, Hsin-Hui Kuo, Yi-Jen Chiu, Yung-Jr Hung, Mu-Chun Wang , Chien-Jung Huang and Wen-How Lan
著作人數 9
作者型態 Corresponding Author
會議地點 國立臺灣大學