出版日期 2011-01-10
期刊等級 SCI
論文名稱(篇名) Effect of Gate Capping Configurations and Silicon-on-Insulator Thickness with External Stresses on Partially Depleted MOSFETs
期刊名 Journal of Vacuum Science and Technology B
卷數 29
期數 1
起頁 1071
迄頁 1023
總頁數 4
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Chih-Chung Wang, Jian-An Lin(林建安), Wen-Kuan Yeh
著作人數 4
作者型態 First Author / Corresponding Author
ISSN(ISBN) 98-2221-E-390-025-MY2
使用語言 英文
所屬計畫案 利用電晶體及環形振盪器製作壓阻感測器