Wen-Teng Chang, Yu-Seng Lin (林育生),"Channel Dimension–Related Shifts in Threshold Voltage and Transconductance of Strained-SiGe MOSFETs",International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS),南投,2013/11/28-2013/11/29 (其他)

年度 2013
論文類型 會議論文 / 壁報論文
論文等級 其他
論文名稱(篇名) Channel Dimension–Related Shifts in Threshold Voltage and Transconductance of Strained-SiGe MOSFETs
會議名稱 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS)
會議開始時間 2013-11-28
會議結束時間 2013-11-29
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Yu-Seng Lin (林育生)
著作人數 2
作者型態 First Author / Corresponding Author
會議地點 南投