"λ= 1.3 μm InGaAs/GaAs quantum dots capped with low In-content InGaAs grown by molecular beam epitaxy",MBE Taiwan 2006,Jhongli, Taiwan,2006/06/00

  • 年度：2006
  • 論文類型：會議論文 / 壁報論文
  • 論文名稱(篇名)：λ= 1.3 μm InGaAs/GaAs quantum dots capped with low In-content InGaAs grown by molecular beam epitaxy
  • 會議名稱：MBE Taiwan 2006
  • 會議開始時間：2006-06-00
  • 會議結束時間：2006-06-00
  • 作者中文名：馮瑞陽
  • 作者英文名：(David) Jui-Yang, Feng
  • 全部作者：David J. Feng, T. E. Tzeng, C. Y. Chen, T. S. Lay, and T. Y. Chang
  • 著作人數：5
  • 作者型態：First Author
  • 會議地點：Jhongli, Taiwan
  • 使用語言：英文