"Broad and flat emission spectrum from InGaAs/InGaAlAs asymmetric multiple quantum wells: effect of well-width and modulation-doping profiles",Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06),Princeton, USA,2006/05/00 (EI)

  • 年度：2006
  • 論文類型：會議論文 / 壁報論文
  • 論文等級：EI
  • 論文名稱(篇名)：Broad and flat emission spectrum from InGaAs/InGaAlAs asymmetric multiple quantum wells: effect of well-width and modulation-doping profiles
  • 會議名稱：Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06)
  • 會議開始時間：2006-05-00
  • 會議結束時間：2006-05-00
  • 作者中文名：馮瑞陽
  • 作者英文名：(David) Jui-Yang, Feng
  • 全部作者：C. Y. Chen, C. F. Liang, David J. Feng, E.Y. Lin, T. S. Lay, T. Y. Chang, G. Lin, K. F. Lin, and J. Y. Chi
  • 著作人數：8
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 會議地點：Princeton, USA
  • 使用語言：英文