"A Unified Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs" , IEEE Trans on Nanotechnology , 16 , 2 , pp281-289 ,2018, (SCI)

  • 出版日期：2018-02-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Unified Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs
  • 期刊名：IEEE Trans on Nanotechnology
  • 卷數：16
  • 期數：2
  • 起頁：281
  • 迄頁：289
  • 總頁數：9
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Juin J. Liou, Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang and Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：4
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 使用語言：英文