"A Novel Localized-Trapped-Charge-Induced Threshold Voltage Model for Double-Fin Multi-Channel FETs (DFMcFETs)" , IEEE Trans on Device and Material Reliability (TDMR) , 17 , 2 , pp291-297 ,2017, (SCI)

  • 出版日期：2017-02-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：A Novel Localized-Trapped-Charge-Induced Threshold Voltage Model for Double-Fin Multi-Channel FETs (DFMcFETs)
  • 期刊名：IEEE Trans on Device and Material Reliability (TDMR)
  • 卷數：17
  • 期數：2
  • 起頁：291
  • 迄頁：297
  • 總頁數：7
  • 作者中文名：江德光
  • 作者英文名：Te-Kung Chiang
  • 全部作者：Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang and Te-Kuang Chiang
  • 著作人數：3
  • 作者型態：Corresponding Author
  • 使用語言：英文